Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology/State Key Lab on Integrated Optoelectronics, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China;
high power; high-speed; uni-traveling-carrier photodiodes;
机译:基于GaSb的p-i-n光电二极管,具有部分耗尽的吸收体,可在2.5波长下实现高速和高功率性能
机译:具有优化耗尽区的高功率,宽带修改型单行载波光电二极管
机译:开发具有最佳耗尽区的大面积BaTi0 / sub 3 /陶瓷作为平面电力电子设备的电介质
机译:高速高功率性能UTC光电二极管的耗尽区优化
机译:异质结雪崩光电二极管的建模和优化:噪声,速度和击穿。
机译:具有单边耗尽区的高效快范德华异质光电二极管
机译:优化低风速区风电场的发电
机译:超高速InGaas和Gaas光电二极管的设计与性能