FUJIFILM Corp., Kaisei-machi, Japan;
MEMS; PZT; d; e; lead zirconate titanate; piezoelectric coefficient;
机译:金属铅与陶瓷PZT双靶共溅射沉积PZT薄膜的XPS研究
机译:氧气压力对固定AR流动溅射压力下RF溅射PZT薄膜晶体质量和电性能的影响
机译:溅射PZT薄膜的原位沉积:通过溅射铅通量控制生长温度
机译:富士苜蓿溅射PZT薄膜发展的最新进展
机译:用于MEMS应用的高取向溅射PZT薄膜。
机译:新型溅射镀膜系统直接沉积的薄膜应变计的研制表征和高温适应性
机译:Si衬底上溅射PZT薄膜的介电,铁电和压电特性:膜厚和取向的影响
机译:溶胶 - 凝胶衍射和溅射pZT薄膜的TEm分析