WPI (Adv. Inst. for Mater. Res.), Tohoku Univ., Sendai, Japan;
NSPUDT; SAW devices; Sc-doped Aluminum Nitride thin film; c-axis tilted thin film;
机译:基于C轴倾斜角度的基于头部薄膜的杂声层结构高耦合漏漏光表面声波
机译:波的传播方向和c轴倾斜角对基于ScAlN /蓝宝石的声表面波器件性能的影响
机译:基于极性c轴倾斜的氧化锌和氮化铝薄膜的薄膜体声谐振器传感器的质量敏感性
机译:nspudt使用C轴倾斜的头部薄膜
机译:用于微波应用的C轴取向钡铁氧体薄膜/厚膜。
机译:用于未来THz器件的外延非c轴双自由Bi2Sr2CaCu2O8 +δ薄膜
机译:基于C轴倾斜的头部薄膜的倾斜入射超声波反射装置,用于评估100 MHz以上液体的粘弹性性能
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)