EECS Dept., Univ. of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA;
机译:底部电极对AlN基FBAR中AlN薄膜取向和谐振器频率响应的影响
机译:具有深亚微米间隙和准线性频率调谐的高价Q $集成CMOS-MEMS谐振器
机译:用于超级频带隙调谐的电磁准零刚度谐振器的半主动超梁
机译:基于间隙降低ALN电容式压电谐振器的频率调谐
机译:AlN MEMS轮廓模式谐振器和CMOS电路的异构集成
机译:宽声带隙固体盘形声子晶体锚固边界用于提高AlN-on-Si MEMS谐振器的品质因数
机译:通过微机械谐振器的纳米尺度间隙调节振荡器降低载波相位降噪