Graduate School of Engineering Kyoto University Kyoto 615-8540, Japanc;
FinFET; defect; molecular dynamics simulation; plasma-induced damage; sputtering; straggling;
机译:去除纳米级三维鳍状物形成的等离子体诱导的物理损伤
机译:入射离子的散布对“鳍状”型场效应晶体管中等离子体诱导的损伤产生的影响
机译:通过退火和湿化学处理消除GaN基发光二极管中等离子体引起的侧壁损伤
机译:三维缩放结构中等离子体诱导的物理损伤的新方面 - 随机散布和溅射侧壁损坏
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:确定性随机模型识别的结构的地震数据损伤检测
机译:使用三维组装掩模在高纵横比中尺度通道中进行微米级特征的侧壁光刻
机译:GaN的高密度等离子体诱导蚀刻损伤