首页> 外文会议>2013 IEEE Radiation Effects Data Workshop >Radiation Tolerant MESFET-CMOS Low Dropout Linear Regulator for Integrated Power Management at the 45nm Node
【24h】

Radiation Tolerant MESFET-CMOS Low Dropout Linear Regulator for Integrated Power Management at the 45nm Node

机译:耐辐射MESFET-CMOS低压降线性稳压器,用于45nm节点的集成电源管理

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

A low dropout linear regulator comprising a MESFET pass transistor with an integrated CMOS error amplifier has been fabricated using a commercial 45nm SOI foundry. Good regulation is observed after irradiation to 1 Mrad(Si).
机译:使用商用45nm SOI代工厂制造了一种低压差线性稳压器,该稳压器包括带有集成CMOS误差放大器的MESFET传输晶体管。辐照至1 Mrad(Si)后观察到良好的调节。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号