State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China;
机译:环戊二烯基和臭氧前体的原子层沉积法生长的锆和Ha氧化物高k栅极电介质的电性能
机译:高k电介质原子层沉积Ge掺杂ZrO2薄膜的结构和电性能
机译:生长温度对原子层沉积生长Al掺杂ZnO导电薄膜电学和结构特性的影响
机译:用原子层沉积种植的Al掺杂TiO2高k栅极电介质的结构和电学特性
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:四(二甲基氨基)锆和臭氧原子层沉积生长的高k ZrO2薄膜的结构和介电性能
机译:氧分压对在应变SiGe上通过脉冲激光沉积生长的HfAlO高k栅极电介质的结构和电特性的影响