Dept. of Computer Science Engineering, West Bengal University of Technology, Kolkata, India;
Sentaurus; flatband voltage; polysilicon gate depletion;
机译:带有高掺杂多晶硅/氮化氧化物栅叠层的规模化MOSFET的偶极感应栅极泄漏减少
机译:不同LDD掺杂浓度的栅极重叠轻掺杂漏极(GOLDD)多晶硅薄膜晶体管的电学特性分析
机译:围栅无掺杂多晶硅纳米线MOSFET的连续半经验转移特性模型
机译:多晶硅栅极掺杂浓度变化对MOSFET特性的影响
机译:用6H碳化硅开发自对准多晶硅栅MOSFET
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:浇筑工序变化对轻掺杂PMOSFET电特性的影响
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响