Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, R. O. C;
机译:SiGe量子阱结构不同的金属-绝缘体-半导体发光二极管的发光机理研究
机译:ZnO / MgZnO量子阱基金属绝缘体-半导体结构实现的低阈值紫外发光二极管
机译:多量子阱InGaN / GaN蓝光发光二极管效率下降机理的研究
机译:用不同SiGe量子阱结构的金属绝缘体 - 半导体发光二极管发光机理研究
机译:具有电子掺杂,透明碳纳米管电荷注入器和量子点的纳米结构有机发光二极管。
机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:发光二极管:超过100cd A-1高效量子点发光二极管,具有倒置串联结构(ADV。Funct。Matter。21/2017)
机译:基于应变si / siGe异质结构的可调谐室温发光二极管