Gdansk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunication and Informatics, Department of Optoelectronics and Electronic Systems, 11/12 G. Narutowicza str., 80-233, Poland;
机译:HEMT和MESFET中的输出电导频率色散和低频噪声
机译:不同传输模型对高频4H-SiC和6H-SiC垂直MESFET的仿真影响
机译:低频噪声可作为诊断ESD退化的GaAs方法的工具
机译:SiC MESFET的低频噪声行为
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:具有部分低掺杂沟道的改进型4H-SiC MESFET
机译:开发高频SiC-MESFET
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性