Department of Communication Engineering, National Chiao Tung University, 1001 Ta-Hsueh Rd, Hsinchu, Taiwan;
bulk finFET; 3D simulation; optimal angle; geometry effect; electrical characteristics; nanoscale VLSI devices;
机译:鳍角对纳米级圆顶栅大容量FinFET电学特性的影响
机译:固定氧化物电荷和鳍形轮廓对大尺寸FinFET器件特性的影响
机译:弯曲翅片顶部边缘对FinFET电气特性的影响
机译:鳍角对纳米级大体积FinFET电学特性的影响
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动