Dipartimento di Elettronica, Politecnico di Torino, C.so Duca degli Abruzzi 24, I-10129, Torino, Italy;
机译:温度对未来技术节点中深亚微米全局互连优化的影响
机译:Al和Ti底层沉积条件对深亚微米互连金属镀层电迁移可靠性的影响
机译:全局ULSI互连上基板温度不均匀影响的建模和分析
机译:温度对深度亚微米全局互连优化的影响
机译:深亚微米VLSI设计中的互连规划和优化算法。
机译:优化不同温度的影响和摄影溶液组成的影响
机译:温度对未来技术节点中深亚微米全局互连优化的影响