高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

摘要

本文通过采用独特的Zn-Bi-Ti-Sn配方体系，并运用高温(800℃)烧银技术，可实现压敏电压低压化，并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V/mm左右，电压极性为1V以下，非线性系数大30以上，泄漏电流5μA以下，限制电压比约1.5(2.5A)，芯片Φ10mm产品经1300A雷电流(8/20μs)冲击。压敏电压变化率为-3％左右，产品已实现产业化。