CuInSe2半导体纳米晶的合成及其性质研究

摘要

CuInSe2半导体材料的禁带宽度为1.04 eV，可以通过Ga掺杂代替In形成CuIn1-xGaxSe2材料调节其禁带宽度达到或接近理想太阳电池材料的禁带宽度值，且此材料具有较高的光吸收系数，已经广泛应用于光伏领域。本文用简单的溶液化学方法合成了CuInSe2纳米晶，并对其性质进行了研究。