沉积温度对一氧化硅薄膜聚集密度的影响

摘要

一氧化硅(SiO)薄膜是中短波红外区最常用的光学薄膜之一，高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要。选用纯度为99.99％的SiO块状材料，在5×10-4 Pa背景真空中用钼舟蒸发沉积，石英晶振仪将沉积速率控制在1.2～1.5nm/s范围，硅基片上的膜层厚度约为2.2～2.4μm，在不同沉积温度下制备样品。用傅里叶红外光谱仪分别测试新鲜薄膜和充分浸湿薄膜的光谱曲线，根据波长漂移理论，计算出薄膜的聚集密度。结果表明：聚集密度随沉积温度的升高而增加，从常温沉积的约0.91上升到250℃沉积的0.99以上。