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SiGe异质结双极晶体管的基区优化

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对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景.

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来源
《第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2011年|320-323|共4页
会议地点三亚
作者
刘冬华; 石晶; 钱文生; 胡君; 段文婷;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
硅锗异质结晶体管; 基区优化; 掺杂浓度; 特征频率;

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