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晶圆级单轴应变SOI研究

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将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm-1，高于文献报道的0.23cm-1.

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来源
《第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2011年|145-147|共3页
会议地点三亚
作者
戴显英; 付毅初; 杨程; 郑若川; 王琳; 张鹤鸣; 郝跃; 王宗伟; 宁静; 王晓晨; 查冬; 李志;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺;
关键词
集成电路; 单轴应变; 弹塑性力学; 绝缘层上硅技术;

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