基于WOx阻变材料的RRAM电路设计

摘要

本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了set过程需要字线限流的问题,进而可以实现‘0’和‘1’多bits数据的同时写入。芯片采用高低两种电压设计,同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。