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W波段单刀双掷开关的设计与仿真

摘要

以AIGaAs梁式引线PIN二极管MA4AGBLP912为基础,介绍了W波段单刀双掷(SPDT)开关设计仿真过程,采用微带线分布参数设计,实现了单刀双掷开关的匹配网络.该设计中采用了二极管串并联型结构,获得了较好的电性能,结果表明在中心频率93GHz附近,插入损耗IL<0.5dB,关断状态下隔离度ISO>45dB,在92GHz-94.5GHz通带内驻波比VSWR≤1.5.

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