一种基于32位ARM微控制器电路的辐射效应研究

摘要

针对一种基于32位ARM微控制器的试验电路,研究其瞬时电离辐射效应和电离总剂量辐射效应.在"强光一号"脉冲加速器上进行了γ瞬时电离辐照试验,在60Co γ射线源上进行了电离总剂量辐照试验,给出了试验测试结果并分析了失效阈值和失效模式:电路的瞬时电离辐射效应表现为剂量率复位重启和剂量率闭锁,闭锁阈值为5× 107Gy/Si.s;电路的电离总剂量辐射效应表现为随着辐照总剂量的增加,其工作电流逐渐增加直至功能失效,功能失效阈值为180Gy (Si).