p-nc-Si:H材料的研究及其在nip型a-SiGe:H电池中的应用

摘要

p-nc-Si:H 材料因为其量子尺寸效应的存在而具有宽带隙、高透过、高电导的特性.本文研究了温度、氢稀释、功率、压强和掺杂比等参数对薄膜结构特征和光电性能的影响,在高温、高氢稀释、高功率、高压条件下获得了优质p-nc-Si:H 窗口层材料.将pnc-Si:H 用作单节nip 型a-SiGe:H电池的窗口层,显著提高了电池的短波响应,波长400nm处量子效率响应达到60.7%,最高响应峰值达85.25%,最终提高了a-SiGe:H电池的短路电流密度和转换效率.