电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究

摘要

电化学硅技术是一种常用的制备各种尺寸硅孔的技术,被广泛用于微纳加工、单晶硅减反射等领域.将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响.实验结果表明,可以在多晶硅上获得平均孔径为5-20μｍ,深为1-3μｍ的腐蚀坑,其加权反射率达到11.3%,较处理之前降低了60%.