功率脉冲驱动下半导体器件瞬态温升特性研究

摘要

本文研究了功率脉冲驱动下半导体器件瞬态温升特性.在理论计算模型的基础上,分别通过红外和电学法两种方法测量了器件在不同脉宽脉冲下的温升和热阻.结果表明:两种测量方法测量出的热阻基本吻合.在相同的占空比下,脉冲脉宽的时间越长热阻越大;在相同脉宽时间下,占空比越大,热阻越大.器件的温度虽然随着脉冲的高低电平呈现相同的起伏,但是器件温度的整体趋势呈现上升状,并且随着时间的增长,上升幅度减缓,并趋近趋于稳定.实验表明脉冲工作下的热阻与稳态工作条件下热阻有较大的差异.