两种考虑温度影响的SiC JFET仿真模型的比较

摘要

针对目前物理建模方法参数获取困难及行为建模方法需要大量实验数据的问题,本文提出两种简便易用的考虑温度影响的SiC JFET功率器件Saber环境建模方法.模型Ⅰ基于Saber提供的JFET模板建模,从实际建模器件的物理结构出发,在模板上增添一定的外围电路使其更吻合SiC JFET的特性;模型Ⅱ基于器件厂商提供的PSpice模型在Saber中搭建相应的子电路实现,文中详细分析了模型中各参数的物理意义并从温度和电特性相互制约的角度分析了器件的热电耦合模型.本文详细阐述了两种仿真模型的特点及具体实现方法,并从静态特性和动态特性两个方面,从仿真和实验两个角度,验证了两种仿真模型的正确性和有效性,比较了两种建模方法的适用性.