衬底温度对电子束蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响

摘要

本文采用电子束蒸发法在钠钙玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜,研究了衬底温度对铜铟镓硒薄膜的结构与光电性能的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,铜铟镓硒薄膜中出现MoSe2相和Cu2_xSe相,当衬底温度为300°C时,制备的铜铟镓硒薄膜获得最好的结晶质量,制作的铜铟镓硒太阳电池获得7.1％的最高转换效率.通过建立禁带宽度与开路电压的关系模型,解释了不同衬底温度下制备的铜铟镓硒太阳电池的开路电压的差异.