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铟活化法测量单脉冲低产额D-D中子

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低产额脉冲中子的准确测量是中子物理研究领域的难点问题,为了提高脉冲D-D中子产额测量精度,延伸测量下限,发展了以115In为活化片的测量方法.对样品和测量系统进行了设计,采用蒙特卡罗模拟方法对影响测量不确定度的关键因素进行了分析.分析的结果表明,该方法可将脉冲中子产额测量下限延伸至107中子/脉冲甚至更低.

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来源
《第十三届全国活化分析技术学术交流会》|2013年|84-87|共4页
会议地点北京
作者
何铁; 周长庚; 安力; 柯建林; 郑普; 王新华;
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作者单位

中国物理学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类中子源和中子探测器;
关键词
单脉冲中子源; D-D中子产额; 铟活化法; 离子束;

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