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掠入射X射线反射法准确测量Si/SiO2纳米薄膜厚度

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掠入射X射线反射技术是纳米单层或多层膜结构表征的重要方法之一,该方法可获得纳米尺度单层或多层薄膜厚度、表面和界面平均粗糙度以及密度等相关参数.本文采用该方法测量10nm-100nm膜厚的Si/SiO2薄膜厚度、内部不同层界面粗糙度及密度,并与高分辨透射电镜方法进行了比较.通过国际比对证明了掠入射X射线反射测量纳米尺度膜厚的准确性,量值与国际等效.

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来源
《全国计量测试技术学术交流会》|2016年|74-78|共5页
会议地点北京
作者
REN Ling-ling; 任玲玲; GAO Hui-fang; 高慧芳; JIA Ya-bin; 贾亚斌; LI Xu; 李旭; TAO Xing-fu; 陶兴付; QIN Lin; 秦林;
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作者单位

中国计量测试学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.07;
关键词
半导体纳米薄膜; 硅; 氧化硅; 材料厚度; 掠入射X射线反射法;

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