TFT阵列基板中Cu/Mo膜层图案化的影响因素研究

摘要

Cu/Mo金属膜层图案化是薄膜晶体管(TFT)技术的关键问题;为了得到合格的TFT器件,一般需要刻蚀后Gate层金属图案的taper:45～55°,无undercut,无钼残,Single CD loss=1um条件下的刻蚀时间90～180s;本文从蚀刻液稳定性、铜/钼金属膜质、黄光制程条件、蚀刻方式四个方面探究其对刻蚀规格的影响.研究结果表明:刻蚀液PH:3.5～4.5,刻蚀液中铜离子浓度＜8000ppm;铜钼金属膜质适当疏松;黄光制程中光阻图案采用后烘烤;蚀刻采用喷淋模式压力为2.6KG/cm2条件下可以得到符合规格的Cu/Mo金属图案.