C+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究

摘要

离子注入技术是在Si基上制备半导体光电-微电集成材料的一种重要手段，而注入形成的损伤则是一种重要的发光中心，一直以来许多研究小组致力于运用离子注入技术来制备Si发光材料，而分析室温下离子注入对基片损伤的机理和形貌。在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤.为判定损伤的类型,进一步采用X射线小角掠入射(GIXRD)检测.实验结果表明,样品中的损伤呈现出朝同一方向扭转的趋势.认为晶格的扭转是由注入导致的堆垛层错引起的.