SOI器件总剂量辐照模型研究

摘要

SOI技术在抗辐照方面有着独特的优势，在航天等领域有着广泛的应用。为了预测电路在辐照环境中的工作情况，必须在标准器件模型的基础上建立准确的器件辐照模型。在过去的总剂量辐照模型中，人们一般只研究体偏为OV时的阈值电压漂移以及迁移率退化。本文针对器件总剂量辐照特性与体偏相关的现象提出了一个宏模型，此模型包括阈值电压、迁移率、以及漏电在不同体偏下随总剂量的变化。该模型建模方法简单而且与实验数据得到了很好的吻合。