背入射AlGaN p—i-n太阳光盲紫外探测器的研制

摘要

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N／Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器。器件的截止波长为290 nm，在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率为9％。研究了器件的电容特性，分析出器件i区较大的施主浓度和n型窗口层与i层的Al组分很接近是器件外量子效率偏低的两个主要原因。