基于SiC三代半导体技术的T/R组件功率放大电路设计

摘要

本文介绍了SiC宽禁带功率器件的特性及其在相控阵雷达中的应用情况，与Si功率器件相比，该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。并以SiC RF Power MESFET CRF24010在T/R组件功率放大电路上的应用为实例，详细介绍了SiC宽禁带功率放大电路的设计过程，包括直流偏置设计、稳定性设计、谐波阻抗优化设计、输出功率与效率的仿真，并对实际电路进行测试。本文可以为有源相控阵天线的设计提供工程应用上的参考。