在(311)A GaAs衬底上生长的Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料特性研究

摘要

利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料。通过控制V/III束流和其它生长参数优化了材料的生长条件。仅仅通过Si掺杂获得P型GaAs和AlGaAs材料研制生长了微波毫米波器件应用的HFET器件结构材料。Hall测试表明了该结构材料具有很好的特性。