紫外光刻法制备图案化的硫化铜薄膜及其光学性能的研究

摘要

本文利用紫外光光刻技术结合化学浴沉积的方法,以EDTA为络合剂,CuSO4·5H2O和Na2S2O3为前驱体溶液,在70°C下选择性的沉积硫化铜纳米颗粒,制备了具有图案化结构的硫化铜纳米薄膜。通过SEM、表面三维轮廓仪、XRD等对生成的膜进行了表征,并探讨了最佳的生长条件,实验表明在最佳的生长条件下可以制备颗粒匀一的硫化铜纳米薄膜。紫外可见吸收光谱表明硫化铜薄膜具有一定的透光性,并且通过计算可得所制备薄膜的带隙为2.48eV。