C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错能的影响

摘要

通过X射线实验测出Fe-Mn-Si-N-C形状记忆合金中的层错几率,并讨论了N、C元素的添加对层错几率和层错能的影响。通过电子衍射斑点位移的方法测得Fe-29.9Mn-6.0Si形状记忆合金局部区域的层错几率,发现比X射线衍射测得的层错几率大两个数量级,分析差异来自于电子衍射测量的是局部的高密度层错区域。