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吴涛; 刘晓彦; 杜刚; 康晋锋; 韩汝琦;
中国电子学会;
MOSFET器件; 沟道应力; 深亚微米; 形变势垒模型; 阈值电压; 亚阈特性; 开关态电流;
机译:浅沟槽隔离引起的机械应力效应对纳米级nMOSFET器件性能的沟道宽度依赖性
机译:氧空位的纳米尺度不均匀性对$ hbox {HfO} _ {2} $ MOSFET器件电学和可靠性特性的影响
机译:纳米尺度沟道长度对对称双栅结构无结场效应晶体管亚阈值特性影响的建模
机译:表现出短沟道效应的亚130纳米栅极长度SOI MOSFET器件的特性
机译:植物细胞壁特性的研究:研究从纳米尺度到宏观影响细胞壁顽固性的贡献。
机译:横向微观预应力对纳米多孔固体干燥蠕变影响的纳米尺度研究
机译:碰撞电离过程对纳米硅n沟道MOSFET电流电压特性的影响
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:单轴纳米机械应力和微机械应力的原位组合传感,同时通过纳米尺度和微观尺度结构中的拉曼位移同时测量表面温度曲线
机译:在纳米尺度和微观尺度结构中通过拉曼位移同时测量表面温度曲线的同时测量单轴纳米力学和微观力学应力
机译:具有n +外延衬底和嵌入式应力源的绝缘体上沟道薄型MOSFET器件
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