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张玉林; 胡高宏;
中国物理学会;
科技部;
国家超导中心;
中科院物理所;
低温特性; IGBT; 缓冲区; 半导体材料;
机译:具有非对称输出的IGBT转换器:加强绝缘的DC / DC转换器可延长IGBT电路的使用寿命
机译:HiSIM-IGBT:用于电力电子电路设计的紧凑型Si-IGBT模型
机译:用嵌入式P型肖特基势垒二极管进行一种新型卷发逆逆向传导SOI-LIGBT的仿真研究
机译:基于3L-NPC VSC应用的12kV n型SiC IGBT与10kV SiC MOSFET和6.5kV Si IGBT的比较研究
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:影像引导近距离放射疗法(IGBT)结合全盆腔调强放射疗法(WP-IMRT)治疗局部晚期宫颈癌:泰国清迈大学医院的前瞻性研究
机译:IGBT的低温特性
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:用于研究多组分液体的低温特性的装置
机译:研究多组分液体低温特性的方法及实现该方法的装置
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