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刘萍; 梁辉; 张鹤凌; 徐廷献;
中国硅酸盐学会;
钛酸锶钡; 电场可调性; 氧化镧; 电介质材料; 微观结构;
机译:RB掺杂对溶胶 - 凝胶制备的Ba0.6SR0.4TiO3薄膜电介质和可调性能的影响
机译:梯度钛酸锶钡多层膜的介电可调性:热应变的影响
机译:前驱体溶液浓度对金属有机分解制备的Zn掺杂Na0.5Bi0.5TiO3薄膜的微观结构,漏电流和介电可调性的影响
机译:聚(偏二氟乙烯)/ Mg掺杂CaCu3Ti4O_(12)复合材料,具有改进的电介质性能
机译:钛酸锶钡可调电介质中的剩余铁电,压电和柔电。
机译:电介质未掺杂和掺杂的聚2-甲氧基-5-(37-二甲基辛氧基)-14-亚苯基-亚乙烯基的功能在宽光谱范围内通过椭偏仪
机译:氧化镧掺杂钛酸锶钡对位电玻璃陶瓷的制备与表征 ud ud ud ud
机译:在掺杂剂诱导的界面破坏下通过定向凝固制备具有受控微观结构的偏晶合金
机译:掺杂金属氧化物电介质材料的电子元件以及制备掺杂金属氧化物电介质材料的电子方法
机译:在具有上侧和下侧的半导体材料区域中形成绝缘栅双极晶体管装置,其中为p发射极提供了掺杂场,为场停止区提供了另一个掺杂场。
机译:场效应半导体组件,具有重掺杂的源场并发射少数电荷载流子,其中从源场到体区的跃迁具有突变的PN过渡的掺杂材料分布
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