CH<,4>/(CH<,4>+Ar)流量比对Ge<,1-x>C<,x>薄膜化学键合的影响

摘要

采用射频磁控溅射方法在纯Ar、CH<,4>气氛中在单晶Si(100)衬底上沉积了非晶Ge<,1-x>C<,x>薄膜.利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)讨论了CH<,4>/(CH<,4>+Ar)流量比对Ge<,1-x>C<,x>薄膜化学键合的影响.结果表明,当CH<,4>/(CH<,4>+Ar)流量比在0~20﹪之间时最有利于Ge<,1-x>C<,x>膜中Ge—C健的形成.