磷掺杂对nc-Si:H薄膜电导的影响

摘要

用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的`电导在10<'-1>-10<'1>Ω<'-1>cm<'-1>之间,比本征纳米硅样品提高两个数量级.同时改变掺磷浓度可以控制电导的改变.结合磷掺杂纳术硅薄膜的结构,用异质结量子点模型对磷掺杂nc-Si:H薄膜的传导机制进行了解释.