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深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对抗热载流子特性的影响

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本文基于动力学能量输运模型,利用二维器件仿真软件MEDICI<'[4]>,集中研究了槽栅PMOSFET的负结深、凹槽拐角以及沟道和衬底掺杂浓度对其抗热载流子特性的影响.

著录项

来源
《2000年中国博士后学术大会》|2000年|117-121|共5页
会议地点北京
作者
任红霞;
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作者单位

中国科学技术协会;

中国博士后科学基金会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应型;结构;
关键词
深亚微米; 槽栅PMOSFET; 热载流子效应; 结构参数;

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