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赵建华; 陈京好; 邓元明; 谭平恒; 杨富华; 郑厚植;
中国科学技术协会;
中国博士后科学基金会;
半导体平面微腔; 腔极化激元; 光学性质; 色散关系;
机译:InGaAs /(Al)GaAs单量子阱平面微腔LED的外部量子效率为6%
机译:基于InGaAs / GaAs / AlGaAs量子阱异质结构的半导体激光器中的非线性光学效应
机译:InGaAs量子阱在应变补偿平面微腔中的极化子凝聚
机译:使用空心方形微腔的InGaAsP / InGaAs量子阱激光器
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:平面微腔中InGaAs量子点的上转换效率极高
机译:红外光电探测器量子阱多层结构中InAs / InGaAs / GaAs量子点的光学性质研究
机译:平面基于原生氧化物的alGaas-Gaas-InGaas量子阱微盘激光器
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
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