离子注入对TiN膜层电化学性能的影响

摘要

采用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)在TiN膜上注入分别注入三种剂量的离子.使用XPS和XRD测量膜层的成分和元素价态,以及膜层的主要相结构.材料表层生成了(Ti,Al)N新相,而且衍射峰位有一定漂移.Al离子注入以后,膜层的零电流电位没有明显变化,但是钝化腐蚀电流密度依次升高.这可能是由于表层在注入后产生的应力梯度,降低了膜层的致密度和耐腐蚀性能.同时由于Al的注入,可能会与H<'+>发生反应,从而增大钝化电流密度.