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高阻值Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶体的退火处理

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采用Cd<,1-x>Zn<,x>作退火源,对Bridgman法生长获得的Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶片进行了退火处理.测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提高,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te的值.从缺陷和杂质的角度,本文分析了晶片性能优化的原因.

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来源
《2002年中国材料研讨会》|2002年|1934-1938|共5页
会议地点北京
作者
李国强; 介万奇; 谷智;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
Cd,0.9Zn,0.1Te; 结晶质量; 红外透过率; 电阻率; 晶体材料; 半导体材料; 退火处理;

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