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张卫; 王鹏飞; 张庆全; 丁士进; 王季陶;
中国仪器仪表学会;
低介电常数; 薄膜; 化学气相沉积; 氟氧化硅;
机译:用于ULSI互连的低介电常数a-SiCOF膜的铜金属化
机译:C_4F_8和Si_2H_6 / He用于低介电常数金属间层电介质的氟化非晶碳薄膜的等离子体化学气相沉积生长
机译:等离子体功率和沉积压力对等离子体增强化学气相沉积法沉积低介电常数等离子体聚合环己烷薄膜性能的影响
机译:通过PECVD沉积SiCOF / A-C:F双层膜,用于低介电常数互连电介质
机译:通过等离子体增强的含硅的低介电常数碳氟化合物薄膜增强了化学气相沉积。
机译:具有介质 - 金属薄膜电介质波导的表面等离子体 - 极性磁性波的谐振参数的关系
机译:适用于低介电常数和超低介电常数的新型薄膜聚合物发泡技术
机译:用于硅基微电子学的新型低介电常数电介质
机译:低温多晶硅薄膜的元件及其在低温下直接淀积的多晶硅薄膜的方法及其感应耦合等离子体化学气相淀积设备
机译:低介电常数薄膜的电介质回收已受到紫外线辅助光化学沉积的等离子体破坏
机译:通过使用包含两种或更多种类型的无机粉末的浆,包括相同壁厚的等离子体显示板的成员以及用于制造等离子体膜的无机膜和膜的方法,包括具有低介电常数和高纵横比的无机薄膜,包括
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