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固态源后硒化法制备铜铟镓硒薄膜的研究

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根据GIGS薄膜性质主要依赖于Cu/In/Ga原子配比和硒化条件,与中间的生长过程无关,将Cu、In、Ga分别成膜,进行固态源后硒化处理.通过金相显微镜、XRD、SEM等仪器观察、分析薄膜材料的晶相及表观形貌,研究原子配比、衬底温度和Se蒸发温度对化合物成分组合及材料结构的影响,并制备出优势的GIGS薄膜.

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来源
《第四届中国功能材料及其应用学术会议》|2001年|855-858|共4页
会议地点厦门
作者
孙云; 龚晓波; 温国忠; 郭虎森; 刘明光; 郭淑华; 李长健;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能电池;
关键词
后硒化; GIGS薄膜; 太阳电池; 半导体材料;

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