首页> 中文会议>'96中国材料研讨会 >磁控弧光放电增强等离子体-活化反应离子镀方法制备立方氮化硼薄膜研究

磁控弧光放电增强等离子体-活化反应离子镀方法制备立方氮化硼薄膜研究

摘要

该工作利用高真空中磁场控制的热电子弧光放电离化N〈,2〉,获得高离化度等离子体与电子枪蒸发硼配合建立磁控弧光放电增强等离子体-活化反应离子镀方法。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号