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刘晓彦;
中国电子学会;
SOI退火推进;
机译:多晶硅TFT中浮体扭结效应相关的寄生双极晶体管行为
机译:多晶硅TFT寄生电阻效应的数值模拟
机译:带有钨包覆源极/漏极的薄沟道多晶硅TFT的寄生电阻效应研究
机译:具有低栅极线电阻和低关态电流的多晶硅TFT,适用于大面积和高分辨率LCD
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:高性能和低功耗单片三维3μm以下50微米多晶硅薄膜晶体管(TFT)电路
机译:通过1 / f噪声测量确定多晶硅TFT中界面态分布与meyer Neldel补偿定律相关的改进
机译:多晶硅TFT采用先进显示技术
机译:隧穿场效应晶体管的关态寄生泄漏减小
机译:Ni厚度对Ni诱导的非晶硅横向结晶对多晶硅TFT截止态电流的影响
机译:多晶硅的制造方法,使用该多晶硅制造的TFT,该TFT的制造方法以及包括该TFT的有机发光二极管显示装置
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