首页> 中文会议>第十届全国高功率微波学术研讨会 >三维周期表面抑制二次电子倍增的理论

三维周期表面抑制二次电子倍增的理论

摘要

为克服电场极化方向对周期性表面结构的限制,设计一种适用于任意极化方向的三维周期表面结构介质窗.通过计算该结构内的电场分布,进而获取三维周期结构内电子的飞行时间及碰撞能量.在三维周期性结构侧壁上,通过微波电场提供的回复力作用,使电子的碰撞能量小于二次产额曲线的第一交叉点能量;同时,电子渡越时间远小于微波半周期,从而在侧壁实现二次电子倍增的抑制,提高介质窗真空侧击穿功率阈值.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号