适用于大面积太阳电池的纳米线阵列组装方法的研究

摘要

半导体纳米线因其具有独特的光学性质,在发展新一代低耗高效太阳电池上极具潜力.本文从研究单根纳米线的吸收增强开始,阐明了漏模共振(LMRs)与Fano效应大幅提高吸收的机理.在此基础上,单根纳米线可以进一步扩展为纳米线阵列用于太阳电池.本文提出了纳米线水平和竖直于衬底的两种纳米线阵列组装方法,均适用于大面积生产.水平于衬底组装的半核壳纳米线阵列能很好的保有单根纳米线的光吸收性质,达到减少50％的吸收材料的效果.竖直于衬底组装的纳米线阵列通过优秀的SiO2/SiNx钝化在125×125 mm2大面积上获得了17.11％的效率.